有效的MOSFET/IGBT设备开关取决于门控制器及其电源。它在本文中引用。能源和电动机电台之间的变化电机控制器和无数应用，电力半导体，例如硅（SI），碳化硅（GAN）和绝缘门的双极晶体管（IGBT）是电力系统的有效设计。顾名思义，此元素的功能是驱动进料设备的门，从驾驶模式中快速而清晰地输入并清除它。为此，尽管内部装载设备（门）和损耗能力（寄生虫），电感和其他问题，驾驶员必须能够吸收和吸收足够的电流。因此，提供正确尺寸的门控制器具有正确的临界特性对于实现联合国能源设备的所有潜在和效率至关重要。但是，为了充分利用门控制器，设计师必须特别注意DRI的直流电源与直流电源馈电设备无关的Vers。这种供应类似于传统供应，但是存在一些重要的差异。它可能是更常见的量化电源，但它们通常是不对称的双极食品供应以及其他功能和结构差异。从开关设备开始。图1。在关闭模式下，MOSFET排水源路线似乎是一个开关。 （照片：Quora）要了解门控制器的DC-DC转换器的纸张和属性，您必须从开关设备开始。对于诸如开关设备之类的MOSFET，门源路线用于控制设备的功率或关闭状态（例如IGBT）。如果门源处的电压小于阈值电压（VGS系列VTH系列），则MOSFET在切割区域中，并且不表现出排水量= 0 amps（A MOSFET），并且显示了一个开放式，并且显示为1个开放式。饱和面积和最大排水口年龄流（ID = VDD/RL系列），MOSFET显示为低公差的“闭合开关”，如图2所示。图2。在饱和模式下，MOSFET排水源路线似乎是低电阻开关。 （图像：Quora）对于理想的MOSFET，排水电压为零（VDS系列= 0伏），但实际上，VDS系列通常约为0.2 vds（ON），通常为0.1欧姆（in），通常低于0.1 ohms（ω），在恢复R.中，这仅是故事的一部分。该电压将电流驱动到MOSFET，直到有足够的累积负载来打开负载。对于某些放大器（a），开关控制器（电流资格）类型的完全导电状态所需的电流（当前资格）类型可能低至几次。图3。该MOSFET模型显示了对驾驶员的性能产生负面影响和挑战的寄生电容和电感器。 （图片：德州仪器））门控制器的功能是快速而突然开车，快速转动在MOSFET上并以相反的方式绘制电流。更正式的是，门必须由低阻抗来源驱动，该源可以提供并吸收足够的电流以提供快速插入和载荷提取。如果MOSFET门似乎是纯电阻载荷，那么绘制和吸收该电流是相对简单的。但是，MOSFET具有感应性内部和寄生能力，如图3所示，它们在控制器和功率设备的互连中也具有效应寄生虫。结果，门传输信号将在阈值电压附近发出，这使设备打开并关闭一次或多次。这与图4所示的机械开关的“开关的弹跳”相似。 （图像来源：了解电子）结果e对临时应用程序没有引起注意或烦人（例如打开或关闭灯光）。图5。与Q1和Q4（左）或Q2和Q3（右）中的常规MOSFET相比，如果由于驾驶员问题或其他原因在桥中打开Q1和Q2和Q2（或Q3和Q4），则称为功率和地面导轨之间的短且潜在破坏性的短路。 （图像：Quora）在半桥和全桥的标准拓扑中，如果两个MOSFET同时在桥的同一侧点亮，则将载荷立即放置在上下MOSFET对之间。如图5所示，这种现象称为“崩溃”。下一节提供了对门控制器的详细信息和影响。