本文引用：世界著名半导体ROHM（京都总部）的制造商最近宣布，它将推出一种名为“ Rohm 3级（L3）”的新的香料模型，该模型将提高仿真的融合和速度。模型的精度对于在设计阶段的模拟验证中很重要，因为功率半导体的损失对系统的总体效率有重大影响。 ROHM先前提供的MOSFET SIC通过使用SPICE“ ROHM 1（L1）”模型来提高每个功能的可重复性，以满足高精度模拟的需求。但是，另一方面，该模型存在诸如仿真收敛和较长工作时间之类的问题，必须紧急改进。与先前的L1模型相比G波形。因此，所有对电路的临时分析均可以高精度和速度进行，这有助于提高设备评估的效率以及应用程序设计阶段损失的验证。 2025年4月在官方网站上启动了“ ROHM 3级”（总共37个模型）的第四代SIC MOSFET模型，用户可以下载产品页面和其他频道的用户。新L3推出后，以前的型号将继续可用。此外，ROHM发布了一篇详细的指令文章，该文章将帮助用户成功导入新模型。用户可以从兼容产品页面上的“设计模型”下载以后的第四代Sicing。 Rohm继续帮助实现更高的性能和更高效率提高模拟技术的应用设计，从而有助于能源转化技术的创新。