据媒体报道，英特尔导演提出，未来的晶体管设计（例如garfettes和cfet）可以减少对高级光刻设备（尤其是EUV光刻机器）中对芯片制造的依赖。这种愿景挑战了当前高级芯片制造的中央范式。当前，ASML（EUV）的极端紫外线印刷机是制造高端芯片（例如7 nm或更少）的重要设备。这是负责在硅晶片中“打印”非常小的电路设计。但是，导演认为，诸如包裹门（Garfetts）的现场效应晶体管和互补场效应（CFET）的晶体管等新设计将显着提高制造过程后的制造过程的重要性，尤其是雕刻技术，因此在整个过程中破坏了刻板图。芯片制造过程始于光刻，将设计模式移至T他晶圆表面。然后通过沉积添加材料，并通过雕刻选择性去除材料，最后形成晶体管和电路的结构。新晶体管设计的核是“包裹”的门结构（加菲特）或一组堆叠的晶体管（CFET）。这种三维结构的复杂性带来了更精确的雕刻需求。要“包裹”各个方向的门或创建堆叠结构，芯片制造商必须消除晶圆的最好的材料，尤其是在水平方向上。因此，董事指出，由于未来的方法仅基于光刻机器，因此有可能根据降低的特征大小，我们可以转向更复杂，更重要的雕刻过程，以确保对这些新结构的三个维晶体管的这些新结构进行精确成型。这表明重要的变化可以达到芯片制造技术路线。 [结束文章]如果您需要重印，请务必显示来源：Kuai技术编辑：Lujiao