他在5月23日报道说，HBM4已成为记忆巨头的新沙子，三星通过积极的投资缩小与SK Hynix的差距。技术媒体ZDNET韩国昨天（5月22日）报道说，三星计划扩大Hwa​​seong和Pyeongtaek的1C DRAM（第六代10 nm水平）的生产，并于今年年底开始相关投资。他引用了一篇博客文章，并介绍了1B DRAM的SK Hynix和Micron作为HBM4的基本技术，但三星大胆地押注了最先进的DRAM 1C。此外，有报道称，三星正在考虑在今年年底将其1C的Huacheng Production系列转换为1C。媒体指出，三星在今年早些时候在Pion Tak 4th Park（P4）发起了第一条生产线，其每月客观生产能力为30,000瓦金夫。如果随后的扩张良好，则预计每月生产能力o增加40,000个单位。媒体媒体公司在4月份报道说，HBM4 12层（4 nm逻辑芯片）的关键要素在证据生产中达到了40％以上的收率。 TrendForce预测，它是由强劲的需求驱动的，这使得HBM在2026年的总货物超过300亿千兆，而HBM4超过2026年下半年的HBM3E，这使其成为市场的常规解决方案。